ESDBK3V3 ESDBK3V3 esd protection diodes in smd esd-schutzd ioden in smd p ppm = 60 w t jmax = 150c v wm = 3.3 v v br min = 4 v v pp = 30 kv version 2018-07-19 sod-882 (dfn1006-2) dimensions - ma?e [mm] typical applications esd protection data line and i/o port protection commercial grade 1 ) typische anwendungen esd-schutz schutz von datenleitungen und ein-/ausg?ngen standardausfhrung 1 ) features low junction capacitance low leakage current miniature case outline compliant to rohs, reach, conflict minerals 1 ) besonderheiten niedrige sperrschicht-kapazit?t niedriger sperrstrom miniatur-geh?usebauform konform zu rohs, reach, konfliktmineralien 1 ) mechanical data 1 ) mechanische daten 1 ) taped and reeled 5000 / 7 gegurtet auf rolle weight approx. 0.0001 g gewicht ca. case material ul 94v-0 geh?usematerial solder & assembly conditions 260c/10s l?t- und einbaubedingungen msl = 1 configuration C ausfhrung type code bidirectional C bidirektional j3 maximum ratings 2 ) grenzwerte 2 ) peak pulse power dissipation (8/20 s waveform) 3 ) impuls-verlustleistung (8/20 s impuls) p ppm 60 w peak pulse power current (8/20 s waveform) 3 ) impuls-strom (8/20 s impuls) i ppm 7 a esd immunity (hbm, air discharge) esd-festigkeit (hbm, luftentladung) iec 61000-4-2 v pp 30 kv esd immunity (contact discharge) esd-festigkeit (kontaktentladung) iec 61000-4-2 v pp 30 kv junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -50...+150c -50...+150c 1 please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book bitte beachten sie die detaillierten hinweise auf unserer internetseite bzw. am anfang des datenbuches 2 t a = 25c unless otherwise specified C t a = 25c wenn nicht anders angegeben 3 non-repetitive pulse see curve i pp = f (t) / p pp = f (t) h?chstzul?ssiger spitzenwert eines einmaligen impulses, siehe kurve i pp = f (t) / p pp = f (t) ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 pb e l v w e e e r o h s halogen free type code 0.48 0.03 r 0.1 0.05 0.25 0.05 0.5 0.05 max 0.05 1.0 0.05 1 2 0.65 0.05 0.6 0.05
ESDBK3V3 characteristics (t j = 25c) kennwerte (t j = 25c) type typ junction capacitance sperrschichtkapazit?t v r = 0 v, f = 1 mhz stand-off voltage sperrspannung max. rev. current max. sperrstrom at / bei v wm breakdown voltage abbruch-spannung i t = 1 ma max. clamping voltage max. begrenzer-spannung at / bei i ppm (8/20 s) c j [pf] v wm [v] i d [a] v br [v] v c [v] i ppm [a] ESDBK3V3 typ. 15 3.3 0.4 4 ... 6 9 7 disclaimer: see data book page 2 or website haftungssauschluss: siehe datenbuch seite 2 oder internet 1 ) 1 mounted on p.c. board with 3 mm 2 copper pads at each terminal montage auf leiterplatte mit 3 mm 2 kupferbelag (l?tpad) an jedem anschluss 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag 8/20s - pulse waveform 8/20s - impulsform i pp p pp 100 80 60 40 20 0 0 t 20 40 60 [s] [%] t p i /2 ppm p /2 ppm t = 8 s r 120 100 80 60 40 20 0 [%] p pp [c] t a 150 100 50 0 i pp peak pulse power/current vs. ambient temperature ) impuls-spitzenleistung/strom vs. umgebungstemp. ) 1 1
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