spl llxx hybride impuls-laserdiode mit integrierter treiberstufe hybrid pulse laser diode with integrated driver stage vorl?ufige daten / preliminary data 2000-01-01 1 opto semiconductors besondere merkmale ? kleines kostengnstiges plastik-geh?use ? integriert sind ein fet und kondensatoren zur impulsansteuerung ? inalgaas/gaas kompressiv verspannte quantenfilmstruktur ( l < 1000 nm) ? ingaasp/inp quantenfilmstruktur ( l =1550nm) ? hochleistungslaser mit ?large-optical-cavity (loc) struktur ? l = 1550 nm laser fr gr??ere augensicherheit ? schneller betrieb (< 10 ns impulsbreite) ? niedrige versorgungsspannung (< 14 v) anwendungen ? entfernungsmessung ? sicherheit, berwachung ? beleuchtung, zndung ? test- und messsysteme sicherheitshinweise je nach betriebsart emittieren diese bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare infrarot- strahlung, die gef?hrlich fr das menschliche auge sein kann. produkte, die diese bauteile enthalten, mssen gem?? den sicherheits- richtlinien der iec-norm 60825-1 behandelt werden. features ? low cost, small size plastic package ? integrated fet and capacitors for pulse control ? strained inalgaas/gaas qw-structures ( l < 1000 nm) ? ingaasp/inp qw-structures ( l = 1550 nm) ? high power large-optical-cavity laser structure ? l = 1550 nm lasers for a better eye safety ? high-speed operation (< 10 ns pulse width) ? low supply voltage (< 14 v) applications ? range finding ? security, surveillance ? illumination, ignition ? testing and measurement safety advices depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in iec 60825-1 safety of laser products.
2000-01-01 2 opto semiconductors spl llxx typ type wellenl?nge 1) wavelength bestellnummer ordering code spl ll85 850 nm q62702-p3558 spl ll90 905 nm on request spl ll15 1.55 m m q62702-p3557 1) andere wellenl?ngen im bereich von 780 nm 980 nm und weitere ausgangsleistungen (vgl. spl pl90_x) sind auf anfrage erh?ltlich. other wavelengths in the range of 780 nm 980 nm and other power levels (cf. spl pl90_x) are available on request. grenzwerte ( t a = 25 c) maximum ratings parameter parameter symbol symbol werte values einheit unit min. max. spitzenausgangsleistung 850 nm peak output power 905 nm 1550 nm p peak p peak p peak C C C 10 16 3 w w w gate-spannung gate voltage v g C 14 + 14 v versorgungsspannung (ladespannung) 850 nm supply voltage (charge voltage) 905 nm 1550 nm v c v c v c C C C 10 14 10 v v v tastverh?ltnis duty cycle d.c. C0.1% betriebstemperatur operating temperature t op - 40 + 85 c lagertemperatur storage temperature t stg - 40 + 100 c l?ttemperatur ( t max = 10 s) soldering temperature ( t max = 10 s) t s C + 260 c
spl llxx 2000-01-01 3 opto semiconductors optische kennwerte ( t a = 25 c) optical characteristics parameter parameter symbol symbol werte values einheit unit min. typ. max. zentrale emissionswellenl?nge 1) 850 nm emission wavelength 1) 905 nm 1550 nm l l l 830 895 1480 850 905 1550 870 915 1600 nm nm nm spektralbreite (halbwertsbreite) 1) spectral width (fwhm) 1) dl C4Cnm anstiegs- und abfallzeit (10% 90%) 2) rise and fall time (10% 90%) 2) t r , t f C5Cns pulsbreite (halbwertsbreite) 2) pulse width (fwhm) 2) t p C1050ns austritts?ffnung aperture size w h C200 2C m m 2 strahldivergenz (halbwertsbreite) 1) beam divergence (fwhm) 1) q || q ^ C6 34 C grad deg. temperaturkoeffizient der wellenl?nge temperature coefficient of wavelength ?l / ? t C0.3Cnm/k thermischer widerstand thermal resistance r th C160Ck/w einschaltspannung switch on voltage v g on 4.5 5 + 14 v ausschaltspannung switch off voltage v g off C 14 0 1 v 1) betriebsbedingungen: v c = 9 v, t pls = 20 ns. operating conditions: v c = 9 v, t pls = 20 ns. 2) die schaltspannung am gate ist abh?ngig vom strom, der die gate-kapazit?t l?dt (typ. 300 pf). switching voltage at gate depends on current, charging the gate capacitance (typ. 300 pf).
2000-01-01 4 opto semiconductors spl llxx fet kennwerte fet characteristics parameter parameter fet type: siemens bsp 318s chip symbol symbol werte values einheit unit min. typ. max. gate-source-spannung gate-source voltage v gs CC 14 v gate kapazit?t gate capacitance c g C 300 380 pf schwellen-gate-spannung threshold gate voltage 1) v g,th 1.2 1.6 2.0 v 1) die schaltspannung am gate ist abh?ngig vom strom, der die gate-kapazit?t l?dt (typ. 300 pf). switching voltage at gate depends on current, charging the gate capacitance (typ. 300 pf). kondensator kennwerte capacitor characteristics parameter parameter capacitor type: 0805 b37941-j473-j62 symbol symbol werte values einheit unit min. typ. max. kapazit?t capacitance c C47Cnf toleranz tolerance CC 5C %
spl llxx 2000-01-01 5 opto semiconductors optical power p opt = f ( v c ), v g = 5 v, t pulse = 20 ns, duty cycle = 0.01% spl ll85 spectrum v c = 9 v, t pls = 20 ns spl ll85 spl ll15 ohw00917 0 6 opt p c v w 7 8 9 10 11 12 13 14 v 16 2 4 6 8 10 12 14 ohw00919 0 840 l i rel 20 40 60 80 100 nm % 842 844 846 848 850 854 ohw00918 0 5 opt p c v 1 2 3 4 w 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 v 16
2000-01-01 6 opto semiconductors spl llxx ma?zeichnung package outlines ma?e in mm, wenn nicht anders angegeben (10 mm = 0,39 inch / 1 inch = 25,4 mm) / dimensions in mm, unless otherwise specified (10 mm = 0.39 inch / 1 inch = 25.4 mm). gwo06034 0.1 4.9 (12.2) 0.3 0.2 25.2 24.2 0.4 0.7 123 0.4 0.6 1.8 1.2 2.3 0.1 0.25 1.5 (2.35) 8.6 0.4 surface not flat 1.4 0.075 2 3 1 cc d s g laser diode trigger g v c v fet gnd laser diode 0.6 0.4 spacing 2.54
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