hv3 ... hv6 hv3 ... hv6 fast switching high voltage silicon rectifier diodes schnelle silizium-hochspannungs-gleichrichterdioden version 2008-04-09 hv3 HV5, hv6 dimensions - ma?e [mm] nominal current nennstrom 200 ma repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung 3000...6000 v plastic case hv3 kunststoffgeh?use HV5, hv6 do-41 do-15 weight approx. gewicht ca. 0.4 g plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert standard packaging taped in ammo pack standard lieferform gegurtet in ammo-pack maximum ratings grenzwerte type typ repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung v rrm [v] surge peak reverse voltage sto?spitzensperrspannung v rsm [v] hv3 3000 3000 HV5 5000 5000 hv6 6000 6000 max. average forward rectified current, r-load dauergrenzstrom in einwegschaltung mit r-last t a = 50c i fav 200 ma 1 ) repetitive peak forward current periodischer spitzenstrom f > 15 hz i frm 5 a 1 ) peak forward surge current, 50/60 hz half sine-wave sto?strom fr eine 50/60 hz sinus-halbwelle t a = 25c i fsm 27/30 a rating for fusing C grenzlastintegral, t < 10 ms t a = 25c i 2 t 3.5 a 2 s junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -50...+150c -50...+150c 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 t y p e ? 0.8 0.05 ? 3 +0.5 6 2 . 5 0 . 5 6 . 3 0 . 3 t y p e ? 0.8 0.05 ? 2.6 -0.1 6 2 . 5 0 . 5 5 . 1 - 0 . 1
hv3 ... hv6 characteristics kennwerte forward voltage C durchlass-spannung t j = 25c i f = 200 ma v f < 6 v leakage current sperrstrom t j = 25c v r = v rrm i r < 3 a reverse recovery time sperrverzugszeit i f = 10 ma through/ber i r = 10 ma to/auf i r = 1 ma t rr < 400 ns thermal resistance junction to ambient air w?rme widerstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 60 k/w 1 ) 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag rated forward current versus ambient temperature ) zul. richtstrom in abh. von der umgebungstemp. ) 1 1 i fav [%] 120 100 80 60 40 20 0 [c] t a 150 100 50 0 peak forward surge current versus number of cycles at 50 hz durchla?-spitzenstrom in abh. von der zahl der halbwellen bei 50 hz 1 10 10 [n] 10 2 3 10 10 1 2 [a] ? f 10 1 10 10 -1 -2 [a] i f forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte)
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