BAS31, bas35 BAS31, bas35 surface mount small signal dual diodes kleinsignal-doppel-dioden fr die oberfl?chenmontage version 2011-10-11 dimensions - ma?e [mm] power dissipation C verlustleistung 350 mw repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung 120 v plastic case kunststoffgeh?use sot-23 (to-236) weight approx. C gewicht ca. 0.01 g plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert standard packaging taped and reeled standard lieferform gegurtet auf rolle maximum ratings (t a = 25c) grenzwerte (t a = 25c) per diode / pro diode BAS31, bas35 power dissipation C verlustleistung 1 ) p tot 350 mw 2 ) max. average forward current (dc) dauergrenzstrom i fav 200 ma 2 ) repetitive peak forward current periodischer spitzenstrom i frm 600 ma 2 ) non repetitive peak forward surge current sto?strom-grenzwert t p 1 s t p 1 s i fsm i fsm 1 a 2 a repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung v rrm 120 v junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -55...+150c -55...+150c characteristics (t j = 25c) kennwerte (t j = 25c) forward voltage 3 ) durchlass-spannung 3 ) i f = 10 ma i f = 50 ma i f = 100 ma i f = 200 ma i f = 400 ma v f v f v f v f v f < 750 mv < 840 mv < 900 mv < 1.00 v < 1.25 v leakage current sperrstrom t j = 25c t j = 150c v r = 90 v i r < 100 na v r = 90 v i r < 100 a 1 total power dissipation of both diodes ? summe der verlustleistungen beider dioden 2 mounted on p.c. board with 3 mm 2 copper pad at each terminal montage auf leiterplatte mit 3 mm 2 kupferbelag (l?tpad) an jedem anschluss 3 tested with pulses t p = 300 s, duty cycle 2% C gemessen mit impulsen t p = 300 s, schaltverh?ltnis 2% ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 2 . 5 m a x 1 . 3 0 . 1 1.1 2.9 0.1 0.4 1 2 3 type code 1.9
BAS31, bas35 characteristics (t j = 25c) kennwert e (t j = 25c) max. junction capacitance C max. sperrschichtkapazit?t v r = 0 v, f = 1 mhz c t 35 pf reverse recovery time C sperrverzug i f = 10 ma ber/through i r = 10 ma bis/to i r = 1 ma t rr < 50 ns thermal resistance junction to ambient air w?rme widerstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 400 k/w 1 ) outline C geh?use pinning C anschlussbelegung marking C stempelung dual diode, series connection doppeldiode, reihenschaltung 1 = a1 2 = k2 3 = k1/a2 BAS31 = l21 dual diode, common anode doppeldiode, gemeinsame anode 1 = k1 2 = k2 3 = a1/a2 bas35 = l22 1 mounted on p.c. board with 3 mm 2 copper pad at each terminal montage auf leiterplatte mit 3 mm 2 kupferbelag (l?tpad) an jedem anschluss 2 http:// www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag [%] p tot power dissipation versus ambient temperature ) verlustleistung in abh. von der umgebungstemp. ) 1 1 120 100 80 20 0 0 150 50 100 t a [c] 60 40 forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) t = 25c j t = 125c j [a] i f v f [v] 1.4 1.0 0.8 0.6 0.4 0 10 -3 10 -2 10 -1 1 10 2 1 3 2 3 1
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