technische information / technical information schnelle gleichrichterdiode fast diode d 659 s 10...14 s elektrische eigenschften / electrical properties h?chstzul?ssige werte / maximum rated values periodische spitzensperrspannung t vj = - 25c...t vj max v rrm 1000 v repetitive peak forward reverse voltage 1200 v 1400 v sto?spitzensperrspannung t vj = + 25c...t vj max v rsm 1100 v non-repetitive peak reverse voltage 1300 v 1500 v durchla?strom-grenzeffektivwert i frmsm 1400 a rms forward current dauergrenzstrom t c =100c i favm 620 a mean forward current t c =95c 660 a t c =64c 900 a sto?strom-grenzwert t vj = 25c, tp = 10 ms i fsm 12200 a surge foward current t vj = t vj max , tp = 10 ms 10100 a t vj = 25c, tp = 1 ms 25750 a t vj = t vj max , tp = 1 ms 21300 a grenzlastintegral t vj = 25c, tp = 10ms i2t 744200 a2s t vj = t vj max , tp = 10ms 510050 a2s t vj = 25c, tp = 1ms 331530 a2s i2t-value t vj = t vj max , tp = 1ms 226850 a2s charakteristische werte / characteristic values durchla?spannung t vj = t vj max , i f = 2700 a v f max. 2,25 v forward voltage schleusenspannung t vj = t vj max v (to) 1 v threshold voltage ersatzwiderstand t vj = t vj max r t 0,45 m w forward slope resistance typischer wert der durchla?verz?gerungsspannung iec 747-2 v frm typ 2,9 v 1) typical value of forward recovery voltage t vj = t vj max di f /dt=50a/s, v r =0v durchla?verz?gerungszeit iec 747-2, methode / method ii t fr typ 5 s 1) forward recovery time t vj = t vj max, i fm =2700a di f /dt=50 a/s, v r =0v sperrstrom t vj = 25c, v r =v rrm i r max. 20 ma reverse current t vj = t vj max , v r = v rrm max. 200 ma rckstromspitze din iec 747-2, t vj =t vj max i rm 87 a 1) peak reverse recovery current i fm =900a,-di f /dt=50a/s v r =100v, v rm< =200 v sperrverz?gerungsladung din iec 747-2, t vj =t vj max q r 285 as 1) recovered charge i fm =900 a,-di f /dt=50a/s v r =100v, v rm< =200 v sperrverz?gerungszeit din iec 747-2, t vj =t vj max t rr 4,5 s 1) reverse recovered time i fm =900a,-di f /dt=50a/s v r =100 v; v rm< =200v sanftheit t vj = t vj max sr s/a 2) softness i fm =a,-di f /dt=a/s v r <=0,5 v rrm , v rm =0,8 v rrm 1) richtwert fr obere streubereichsgrenze / upper limit of scatter range (standard value) 2) richtwert fr untere streubereichsgrenze / lower limit of scatter range (standard value) sz-m / 09.02.87 seite/page 1
technische information / technical information schnelle gleichrichterdiode fast diode d 659 s 10...14 s thermische eigenschaften / thermal properties innerer w?rmewiderstand khlfl?che / cooling surface r thjc thermal resitance, junction to case beidseitig / two-sided, q =180sin max. 0,048 c/w beidseitig / two-sided, dc max. 0,045 c/w anode / anode, q =180sin max. 0,085 c/w anode / anode, dc max. 0,082 c/w kathode / cathode, q =180sin max. 0,103 c/w kathode / cathode, dc max. 0,100 c/w bergangs- w?rmewiderstand khlfl?che / cooling surface r thck thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,005 c/w einseitig / single-sided max. 0,010 c/w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur t vj max 150 c max. junction temperature betriebstemperatur t c op -40...+150 c operating temperature lagertemperatur t stg -40...+150 c storage temperature mechanische eigenschaften / mechanical properties geh?use, siehe anlage seite 3 case, see appendix page 3 si-element mit druckkontakt durchmesser/diameter 30mm si-pellet with pressure contact anpre?kraft f 6...14,5 kn clamping force gewicht g typ. 270 g weight kriechstrecke 28 mm creepage distance feuchteklasse din 40040 c humidity classification schwingfestigkeit f = 50hz 5x9,81 m/s2 vibration resistance mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen./ the technical information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. it is valid in combination with the belonging technical notes. sz-m / 09.02.87 seite/page 2
technische information / technical information schnelle gleichrichterdiode fast diode d 659 s 10...14 s sz-m / 11.08.78 seite/page 3
technische information / technical information schnelle gleichrichterdiode fast diode d 659 s10...14 s khlung analytische elemente des transienten w?rmewiderstandes z thjc fr dc cooling analytical ementes of transient thermal impedance z thjc for dc pos.n 1 2 3 4 5 6 7 beidseitig r thn [c/w] 0,00108 0,0042 0,00596 0,0183 0,01546 two-sided t n [s] 0,000378 0,00189 0,0185 0,147 1,22 anodenseitig r thn [c/w] 0,00106 0,00407 0,00519 0,0167 0,00698 anode-sided t n [s] 0,000377 0,00182 0,0156 0,121 0,571 kathodenseitig r thn [c/w] 0,00109 0,00423 0,00616 0,0186 0,0134 cathode-sided t n [s] 0,000379 0,0019 0,0192 0,152 2,54 n max analytische funktion / analytical function : z thjc = = ? r thn ( 1 - exp ( - t / t n )) n=1 sz-m / 24.03.87 seite/page 4 0,05652 9,9 0,048 7,21
technische information / technical information schnelle gleichrichterdiode fast diode d 659 s 10...14 s grenzdurchla?kennlinie / limiting 0n-state characteristic i f =f(v f ) t vj = t vj max sz-m / 04.02.87 seite/page 5 0 200 400 600 800 1.000 1.200 1.400 1.600 1.800 2.000 2.200 2.400 2.600 2.800 3.000 3.200 3.400 3.600 3.800 4.000 0,5 1 1,5 2 2,5 3 v f [v] i f [a]
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