technische information / technical information schnelle gleichrichterdiode fast diode d 238 s 08...12 s elektrische eigenschaften / electrical properties h?chstzul?ssige werte / maximum rated values periodische spitzensperrspannung t vj = - 40c...t vj max v rrm 800 v repetitive peak forward reverse voltage 1000 v 1200 v sto?spitzensperrspannung t vj = + 25c...t vj max v rsm 900 v non-repetitive peak reverse voltage 1100 v 1300 v durchla?strom-grenzeffektivwert i frmsm 455 a rms forward current dauergrenzstrom t c = 85c i favm 238 a mean forward current t c = 73c 290 a sto?strom-grenzwert t vj = 25c, tp = 10 ms i fsm 3800 a surge foward current t vj = t vj max , tp = 10 ms 3200 a t vj = 25c, tp = 1 ms 7800 a t vj = t vj max , tp = 10 ms 6600 a grenzlastintegral t vj = 25c, tp = 10ms i2t 72200 a2s i2t-value t vj = t vj max , tp = 10 ms 51200 a2s t vj = 25c, tp = 1ms 30420 a2s t vj = t vj max , tp = 10 ms 21780 a2s charakteristische werte / characteristic values durchla?spannung t vj = t vj max , i f = 900 a v f max. 2,7 v forward voltage schleusenspannung v (to) 1,45 v threshold voltage ersatzwiderstand t vj = t vj max r t 1,1 m w forward slope resistance typischer wert der durchla?verz?gerungsspannung iec 747-2 v frm typ. 3,9 v 1) typical value of forward recovery voltage t vj = t vj max di f /dt=50a/s, v r =0v durchla?verz?gerungszeit iec 747-2, methode / method ii t fr typ. 3,2 s 1) forward recovery time t vj = t vj max, i fm =di f /dt*t fr di f /dt=50a/s, v r =0v sperrstrom t vj = 25c, v r =v rrm i r max. 10 ma reverse current t vj = t vj max , v r = v rrm max. 50 ma rckstromspitze din iec 747-2, t vj =t vj max i rm 32 a 1) peak reverse recovery current i fm =290a,-di f /dt=50a/s v r <=100 v, v rm =200 v sperrverz?gerungsladung din iec 747-2, t vj =t vj max q r 22 as 1) recovered charge i fm =290 a,-di f /dt=50a/s v r <=100 v, v rm =200 v sperrverz?gerungszeit din iec 747-2, t vj =t vj max t rr 1,15 s 1) reverse recovered time i fm =290 a,-di f /dt=50a/s v r <=100 v, v rm =200 v sanftheit t vj = t vj max sr s/a 2) softness i fm = a,-di f /dt=500a/s v r <=0,5 v rrm , v rm =0,8 v rrm 1) richtwert fr obere streubereichsgrenze / upper limit of scatter range (standard value) 2) richtwert fr untere streubereichsgrenze / lower limit of scatter range (standard value) sz-m / 10.11.87 seite/page 1
technische information / technical information schnelle gleichrichterdiode fast diode d 238 s 08...12 s thermische eigenschaften / thermal properties innerer w?rmewiderstand khlfl?che / cooling surface r thjc thermal resitance, junction to case beidseitig / two-sided, q =180sin max. 0,080 c/w beidseitig / two-sided, dc max. 0,075 c/w anode / anode, q =180sin max. 0,125 c/w anode / anode, dc max. 0,120 c/w kathode / cathode, q =180sin max. 0,205 c/w kathode / cathode, dc max. 0,200 c/w bergangs- w?rmewiderstand khlfl?che / cooling surface r thck thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max 0,015 c/w einseitig / single-sided max 0,030 c/w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur t vj max 125 c max. junction temperature betriebstemperatur t c op -40...+125 c operating temperature lagertemperatur t stg -40...+150 c storage temperature mechanische eigenschaften / mechanical properties geh?use, siehe anlage seite 3 case, see appendix page 3 si-element mit druckkontakt 21 mm si-pellet with pressure contact anpre?kraft f 3,2...7,6 kn clamping force gewicht g typ. 60 g weight kriechstrecke 17 mm creepage distance feuchteklasse din 40040 c humidity classification schwingfestigkeit f = 50hz 50 m/s2 vibration resistance mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen./ the technical information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. it is valid in combination with the belonging technical notes. sz-m / 10.11.87 seite/page 2
technische information / technical information schnelle gleichrichterdiode fast diode d 238 s 08...12 s sz-m / 10.11.87 seite/page 3
technische information / technical information schnelle gleichrichterdiode fast diode d 238 s 08...12 s khlung analytische elemente des transienten w?rmewiderstandes z thjc fr dc cooling analytical ementes of transient thermal impedance z thjc for dc pos.n 1 2 3 4 5 6 7 beidseitig r thn [c/w] 0,0003 0,00675 0,00585 0,0322 0,0299 two-sided t n [s] 0,000067 0,00082 0,00905 0,0597 0,497 anodenseitig r thn [c/w] 0,00044 0,00806 0,0171 0,0295 0,0649 anode-sided t n [s] 0,000082 0,00107 0,0261 0,121 3,56 kathodenseitig r thn [c/w] 0,0005 0,0088 0,0215 0,0312 0,138 cathode-sided t n [s] 0,000086 0,00121 0,0345 0,223 3,513 n max analytische funktion / analytical function : z thjc = = ? r thn ( 1 - exp ( - t / t n )) n=1 sz-m / 10.11.87 seite/page 4
technische information / technical information schnelle gleichrichterdiode fast diode d 238 s 08...12 s grenzdurchla?kennlinie / limiting 0n-state characteristic i f =f(v f ) t vj = t vj max sz-m / 10.11.87 seite/page 5 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1.000 1.100 1.200 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 v f [v] i f [a]
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