technische information / technical information net z- th y ristor - mod u phase control thyristor module tt 330 n 12...16 n elektrische ei g enschaften / electrical p ro p ertie s h?chstzul?ssige werte / maximum rated values periodische vorw?rts- und rckw?rts-spitzensperrspannung t vj = - 40c...t vj max v drm , v rrm 1200, 1400 v repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1600 v vorw?rts-sto?spitzensperrspannung t vj = - 40c...t vj max v dsm 1200, 1400 v non-repetitive peak forward off-state voltage 1600 v rckw?rts-sto?spitzensperrspannung t vj = + 25c...t vj max v rsm 1300, 1500 v non-repetitive peak reverse voltage 1700 v durchla?strom-grenzeffektivwert i trms m 520 a rms on-state current dauergrenzstrom t c = 85c i tav m 330 a average on-state current sto?strom-grenzwert t vj = 25c, t p = 10ms i tsm 9100 a surge current t vj = t vj max , t p = 10ms 8000 a grenzlastintegral t vj = 25c, t p = 10ms i2t 414000 a2s i2t-value t vj = t vj max , t p = 10ms 320000 a2s kritische stromsteilheit din iec 747-6 (di t /dt) cr 250 a/s critical rate of rise of on-state current f = 50hz, i gm = 1a, di g /dt = 1a/s kritische spannungssteilheit t vj = t vj max , v d = 0,67 v drm (dv d /dt) cr critical rate of rise of off-state voltage 6. kennbuchstabe / 6th letter f 1000 v/s charakteristische werte / characteristic values durchla?spannung t vj = t vj max , i t = 800a v t max. 1,44 v on-state voltage schleusenspannung t vj = t vj max v ( to ) 0,8 v threshold voltage ersatzwiderstand t vj = t vj max r t 0,6 m ? ? ? ? slope resistance zndstrom t vj = 25c, v d = 6v i g t max. 200 ma gate trigger current zndspannung t vj = 25c, v d = 6v v g t max. 2,0 v gate trigger voltage nicht zndender steuerstrom t vj = t vj max , v d = 6v i gd max. 10 ma gate non-trigger current t vj = t vj max , v d = 0,5 v drm max. 5 ma nicht zndende steuerspannung t vj = t vj max , v d = 0,5 v drm v gd max. 0,2 v gate non-trigger voltage haltestrom t vj = 25c, v d = 6v, r a = 5 ? ? ? ? i h max. 300 ma holding current einraststrom t vj = 25c, v d = 6v, r gk = 10 ? ? ? ? i l max. 1200 ma latching current i gm = 1a, di g /dt = 1a/s, t g = 20s vorw?rts- und rckw?rts-sperrstrom t vj = t vj max i d , i r max. 70 ma forward off-state and reverse currents v d = v drm , v r = v rrm zndverzug din iec 747-6 t g d max. 3,0 s gate controlled delay time t vj = 25c, i gm = 1a, di g /dt = 1a/s freiwerdezeit t vj = t vj max , i tm = 350a t q circuit commutated turn-off time v rm = 100v, v dm = 0,67 v drm dv d /dt = 20v/s, -di t /dt = 10a/s 5. kennbuchstabe / 5th letter o typ. 250 s isolations-prfspannung rms, f = 50hz, t = 1min v isol 3,0 kv insulation test voltage rms, f = 50hz, t = 1sec 3,6 kv mod-e1; r. j?rke 02. dez 99 a /99 seite/page 1(8 )
technische information / technical information net z- th y ristor - mod u phase control thyristor module tt 330 n 12...16 n thermische eigenschaften / thermal propertie s innerer w?rmewiderstand pro modul / per module, = 180sin r thjc max. 0,059 c/w thermal resistance, junction to case pro zweig / per arm, = 180sin max. 0,117 c/w pro modul / per module, dc max. 0,056 c/w pro zweig / per arm, dc max. 0,111 c/w bergangs-w?rmewiderstand pro modul / per module r thc k max. 0,020 c/w thermal resistance, case to heatsink pro zweig / per arm max. 0,040 c/w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur t v j ma x 135 c max. junction temperature betriebstemperatur t c o p - 40...+135 c operating temperature lagertemperatur t st g - 40...+140 c storage temperature mechanische eigenschaften / mechanical propertie s geh?use, siehe anlage seite 3 case, see appendix page 3 si-elemente mit druckkontakt, amplifying-gate si-pellets with pressure contact, amplifying-gate innere isolation aln internal insulation anzugsdrehmoment fr mechanische befestigung toleranz / tolerance 15% m1 6 nm mounting torque anzugsdrehmoment fr elektrische anschlsse toleranz / tolerance +5% / -10% m2 12 nm terminal connection torque gewicht g typ. 800 g weight kriechstrecke 17 mm creepage distance schwingfestigkeit f = 50hz 50 m/s2 vibration resistance mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen. / this technical information specifies semiconductor devices but promises no cha racteristics. it is valid in combination with the belonging technical notes. mod-e1; r. j?rke 02. dez 99 seite/page 2(8 )
technische information / technical information net z- th y ristor - mod u phase control thyristor module tt 330 n 12...16 n mod-e1; r. j?rke 02. dez 99 seite/page 3(8)
technische information / technical information net z- th y ristor - mod u phase control thyristor module tt 330 n 12...16 n a nalytische elemente des transienten w?rmewiderstandes z thjc fr dc a nalytical elements of transient thermal impedance z thjc for dc pos. n 1234567 0,0031 0,0097 0,0259 0,0359 0,0366 0,0009 0,0080 0,1100 0,6100 3,0600 mod-e1; r. j?rke 02. dez 99 seite/page 4(8) [] rcw thn / [] n s analytische funktion z r e thjc thn t n n n : max =? ? = 1 1
technische information / technical information netz-thyristor-modul phase control thyristor module tt 330 n 12...16 n h?chstzul?ssige geh?usetemperatur / maximum allowable case temperature t c = f(i tav m ) strombelastbarkeit je zweig / current load per arm parameter: stromflu?winkel / current conduction an g le mod-e1; r. j?rke 02. dez 99 seite/page 5(8) 180 sin 180 rect 120 rect 60 rect dc 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 i tav [a] t c [c]
technische information / technical information netz-thyristor-modul phase control thyristor module tt 330 n 12...16 n sperrverz?gerungsladung / recovered charge q r = f(-di/dt) t v j = t v j ma x , v r 0,5v rrm , v rm = 0,8v rrm parameter: durchla?strom / on-state current i tm mod-e1; r. j?rke 02. dez 99 seite/page 6(8) 20a 50a 100a 200a 500a 1000a 100 1000 10000 1 10 100 - di/dt [as] q r [as]
technische information / technical information netz-thyristor-modul phase control thyristor module tt 330 n 12...16 n zndverzug / gate controlled delay time t g d = f(i gm ) t v j = 25c; di g /dt = i gm /1s a - maximaler verlauf / limiting characteristic b - typischer verlauf / typical characteristic mod-e1; r. j?rke 02. dez 99 seite/page 7(8) 1,0e-01 1,0e+00 1,0e+01 1,0e+02 1,0e+01 1,0e+02 1,0e+03 1,0e+04 i gm [ma] t gd [s]
technische information / technical information netz-thyristor-modul phase control thyristor module tt 330 n 12...16 n transienter innerer w?rmewiderstand je zweig / transient thermal impedance per arm z thjc = f(t) parameter: stromflu?winkel / current conduction an g le mod-e1; r. j?rke 02. dez 99 seite/page 8(8) 180 rect 120 rect 60 rect 180 sin dc 0,00 0,05 0,10 0,15 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [s] z thjc [c/w]
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