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WED3DG6434V-D1
256MB- 32Mx64 SDRAM UNBUFFERED
FEATURES
n PC100 compatible n Burst Mode Operation n Auto and Self Refresh capability n LVTTL compatible inputs and outputs n Serial Presence Detect with EEPROM n Fully synchronous: All signals are registered on the positive edge of the system clock n Programmable Burst Lengths: 1, 2, 4, 8 or Full Page n 3.3 volt 6 0.3v Power Supply n 144- Pin SO-DIMM JEDEC
DESCRIPTION
The WED3DG6434V is a 32Mx64 synchronous DRAM module which consists of sixteen 16Mx8 SDRAM components in sTSOP11 package, and one 2K EEPROM in an 8- pin TSSOP package for Serial Presence Detect which are mounted on a 144 Pin SODIMM multilayer FR4 Substrate.
PIN CONFIGURATIONS (FRONT SIDE/BACK SIDE)
Pin 1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35 37 39 41 43 45 47 49 Front VSS DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 VDD DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 VSS DQM0 DQM1 VDD A0 A1 A2 VSS DQ8 DQ9 DQ10 DQ11 VDD DQ12 DQ13 Pin 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50 Back VSS DQ32 DQ33 DQ34 DQ35 VDD DQ36 DQ37 DQ38 DQ39 VSS DQM4 DQM5 VDD A3 A4 A5 VSS DQ40 DQ41 DQ42 DQ43 VDD DQ44 DQ45 Pin 51 53 55 57 59 Front DQ14 DQ15 VSS NC NC Pin 52 54 56 58 60 Back DQ46 DQ47 VSS NC NC Pin 95 97 99 101 103 105 107 109 111 113 115 117 119 121 123 125 127 129 131 133 135 137 139 141 143 Front DQ21 DQ22 DQ23 VDD A6 A8 VSS A9 A10/AP VDD DQM2 DQM3 VSS DQ24 DQ25 DQ26 DQ27 VDD DQ28 DQ29 DQ30 DQ31 VSS **SDA VDD Pin 96 98 100 102 104 106 108 110 112 114 116 118 120 122 124 126 128 130 132 134 136 138 140 142 144 Back DQ53 DQ54 DQ55 VDD A7 BA0 VSS BA1 A11 VDD DQM6 DQM7 VSS DQ56 DQ57 DQ58 DQ59 VDD DQ60 DQ61 DQ62 DQ63 VSS **SCL VDD
PIN NAMES
A0 A11 BA0-1 DQ0-63 CLK0,CLK1 CKE0,CKE1 CS0,CS1 RAS CAS WE DQM0-7 VDD VSS SDA SCL DNU NC Address input (Multiplexed) Select Bank Data Input/Output Clock input Clock Enable input Chip select Input Row Address Strobe Column Address Strobe Write Enable DQM Power Supply (3.3V) Ground Serial data I/O Serial clock Do not use No Connect
VOLTAGE KEY 61 63 65 67 69 71 73 75 77 79 81 83 85 87 89 91 93 CLK0 VDD RAS WE CS0 CS1 DNU VSS NC NC VDD DQ16 DQ17 DQ18 DQ19 VSS DQ20 62 64 66 68 70 72 74 76 78 80 82 84 86 88 90 92 94 CKE0 VDD CAS CKE1 NC NC CLK1 VSS NC NC VDD DQ48 DQ49 DQ50 DQ51 VSS DQ52
** These pins should be NC in the system which does not support SPD.
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FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
CS1 CS0 DQM0 DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQM1 DQ8 DQ9 DQ10 DQ11 DQ12 DQ13 DQ14 DQ15 DQM2 DQ16 DQ17 DQ18 DQ19 DQ20 DQ21 DQ22 DQ23 DQM3 DQ24 DQ25 DQ26 DQ27 DQ28 DQ29 DQ30 DQ31
DQM DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7
**
*
DQM4 DQM DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQM DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQM DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQM DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 CS DQ32 DQ33 DQ34 DQ35 DQ36 DQ37 DQ38 DQ39 DQM5
U8
CS
DQM DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7
*
CS
DQM DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7
CS
U0
U4
U12
DQM DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQM DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQM DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7
*
CS
CS DQ40 DQ41 DQ42 DQ43 DQ44 DQ45 DQ46 DQ47 DQM6
U1
U9
*
DQM CS DQ0 DQ1 DQ2 U5 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQM DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQM
*
CS
CS DQ48 DQ49 DQ50 DQ51 DQ52 DQ53 DQ54 DQ55 DQM7
*
DQM CS DQ0 DQ1 DQ2 U13 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQM DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQM DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 CS
CS
U2
U10
U6
U14
*
CS
CS DQ56 DQ57 DQ58 DQ59 DQ60 DQ61 DQ62 DQ63
*
CS
CS
U3
U11
DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7
U7
U15
A0 ~ A11, BA0 & 1 RAS, CAS, WE CKE0 CKE1 10 DQn
SDRAM U0 ~ U15
SERIAL PD
SDRAM U0 ~ U15 SDRAM U0 ~ U7 SDRAM U8 ~ U15 Every DQpin of SDRAM
SCL
47K
WP A0
SDA A1 A2
SA0 SA1 SA2
* VD D Vss * * * Two 0.1uF Capacitors per each SDRAM * CLK0/1 * *
U0/U1/U8/U9 U4/U5/U12/U13 U2/U3/U10/U11 U6/U7/U14/U15
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June 2003 Rev. 1 ECO #16372
WED3DG6434V-D1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Parameter Voltage on any pin relative to VSS Voltage on VDD supply relative to VSS Storage Temperature Power Dissipation Short Circuit Current Symbol VIN, Vout VDD, VDDQ TSTG PD IOS Value -1.0 ~ 4.6 -1.0 ~ 4.6 -55 ~ +150 16 50 Units V V C W mA
Note: Permanent device damage may occur if "ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS" are exceeded. Functional operation should be restricted to recommended operating condition. Exposure to higher than recommended voltage for extended periods of time could affect device reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS (Voltage Referenced to: VSS = 0V, TA = 0C to +70C)
Parameter Supply Voltage Input High Voltage Input Low Voltage Output High Voltage Output Low Voltage Input Leakage Current Symbol VDD VIH VIL VOH VOL ILI Min 3.0 2.0 -0.3 2.4 -10 Typ Max Unit 3.3 3.6 V 3.0 VDDQ+0.3 V 0.8 V V 0.4 V 10 A Note 1 2 IOH= -2mA IOL= -2mA 3
Note: 1. VIH (max)= 5.6V AC. The overshoot voltage duration is 3ns. 2. VIL (min)= -2.0V AC. The undershoot voltage duration is 3ns. 3. Any input 0V VIN VDDQ Input leakage currents include Hi-Z output leakage for all bi-directional buffers with Tri-State outputs.
CAPACITANCE (TA = 23C, f = 1MHz, VDD = 3.3V, VREF=1.4V 6200mV)
Parameter Input Capacitance (A0-A12) Input Capacitance (RAS,CAS,WE) Input Capacitance (CKE0,CKE1) Input Capacitance (CLK0,CLK1) Input Capacitance (CS0,CS1) Input Capacitance (DQM0-DQM7) Input Capacitance (BA0-BA1) Data input/output capacitance (DQ0-DQ63) Symbol CIN1 CIN2 CIN3 CIN4 CIN5 CIN6 CIN7 Cout Min Max 85 85 45 21 25 15 85 18 Unit pF pF pF pF pF pF pF pF
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OPERATING CURRENT CHARACTERISTICS (VCC = 3.3V, TA = 0C to +70C)
Parameter Operating Current (One bank active) Precharge Standby Current in Power Down Mode Precharge Standby Current in Non-Power Down Mode Active standby current in power-down mode Active standby current in non power-down mode Operating current (Burst mode) Refresh current Self refresh current Symbol ICC1 ICC2P ICC2PS Icc2N Icc2NS ICC3P ICC3PS ICC3N ICC3NS ICC4 ICC5 ICC6 Conditions Burst Length = 1 tRC tRC(min) IOL = 0mA CKE VIL(max), tCC = 10ns CKE & CLK VIL(max), tCC = CKE VIH(min), CS VIH(min), tcc = 10ns Input signals are charged one time during 20 CKE VIH(min), CLK VIL(max), tcc = Input signals are stable CKE VIL(max), tCC = 10ns CKE & CLK VIL(max), tcc = CKE VIH(min), CS VIH(min), tcc = 10ns Input signals are changed one time during 20ns CKE VIH(min), CLK VIL(max), tcc = input signals are stable Io = mA Page burst 4 Banks activated tCCD = 2CLK tRC tRC(min) CKE 0.2V Version 133 100 1040 960 32 32 320 160 80 80 480 400 1120 2000 1040 1760 Units Note mA 1 mA
mA mA mA mA mA mA mA 1 2
32
Notes: 1. Measured with outputs open. 2. Refresh period is 64ms. 3. Unless otherwise noticed, input swing level is CMOS (VIH/VIL = VDDQ/VssQ)
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WED3DG6434V-D1
ORDERING INFORMATION
Part Number WED3DG6434V11D1 Speed 100MHz Cas Latency CL=3
PACKAGE DIMENSIONS
ALL DIMENSIONS ARE IN INCHES
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