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SFH 309 SFH 309 F
NPN-Silizium-Fototransistor NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter
SFH 309 SFH 309 F
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet fur Anwendungen im
Features
q Especially suitable for applications from
Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 F) q Hohe Linearitat q 3 mm-Plastikbauform im LED-Gehause q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Lichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q "Messen/Steuern/Regeln"
380 nm to 1180 nm (SFH 309) and of 880 nm (SFH 309 F) q High linearity q 3 mm LED plastic package q Available in groups Applications q Light-reflecting switches for steady and varying intensity q Industrial electronics q For control and drive circuits
Semiconductor Group
253
SFH 309 SFH 309 F
Typ (*ab 4/95) Bestellnummer Type (*as of 4/95) Ordering Code SFH 309 SFH 309-2 SFH 309-3 SFH 309-4 SFH 309-5
1)
Gehause Package klares bzw. schwarzes Epoxy-Gieharz, Lotspiee im 2.54-mm-Raster (1/10"), Kollektorkennzeichnung: kurzerer Lotspie, flach am Gehausebund transparent and black epoxy resin, solder tabs 2.54 mm (1/10") lead spacing, collector marking: short solder lead, flat at package bottom
Q62702-P859 Q62702-P996 Q62702-P997 Q62702-P998 Q62702-P999 Q62702-P1000 Q62702-P174 Q62702-P176 Q62702-P178 Q62702-P180
SFH 309-61) SFH 309 F-2 (*SFH 309 FA-2) SFH 309 F-3 (*SFH 309 FA-3) SFH 309 F-4 (*SFH 309 FA-4) SFH 309 F-51) (*SFH 309 FA-5)
1) 1)
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Semiconductor Group
254
SFH 309 SFH 309 F
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Lottemperatur bei Tauchlotung Lotstelle 2 mm vom Gehause, Lotzeit t 5s Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5s Lottemperatur bei Kolbenlotung Lotstelle 2 mm vom Gehause, Lotzeit t 3s Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 3s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, < 10 s Collector surge current Verlustleistung, TA = 25 oC Total power dissipation Warmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Top; Tstg TS Wert Value -55 ... +100 260 Einheit Unit
oC oC
TS
300
oC
VCE IC ICS Ptot RthJA
35 15 75 165 450
V mA mA mW K/W
Semiconductor Group
255
SFH 309 SFH 309 F
Kennwerte (TA = 25 oC, = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax Symbol Symbol S max Wert Value SFH 309 860 SFH 309 F 900 nm Einheit Unit
380 ... 1150 730 ... 1120 nm
Bestrahlungsempfindliche Flache ( 240 m) A Radiant sensitive area Abmessung der Chipflache Dimensions of chip area Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Kapazitat, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Dunkelstrom Dark current VCEO = 25 V, E = 0 LxB LxW H
0.045 0.45 x 0.45 2.4 ... 2.8
0.045 0.45 x 0.45 2.4 ... 2.8
mm2 mm x mm mm
CCE ICEO
12 5.0 1 (200)
12 5.0 1 (200)
Grad deg. pF nA
Semiconductor Group
256
SFH 309 SFH 309 F
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Sym- Wert bol Value -2 Fotostrom, = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V IPCE SFH 309: Ev = 1000 Ix, Normlicht/ IPCE standard light A, VCE = 5 V Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 k Kollektor-EmitterSattigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) x 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2
1) 1)
-3
-4
-5
-6
Einheit Unit
0.4 ... 0.8 0.63 ... 1.25 1.0 ... 3.2 1.6 ... 3.2 2.5 mA 1.5 5 2.8 6 4.5 7 7.2 8 10.0 mA 9 s
tr, tf
VCEsa 200
t
1200
200
200
200
mV
IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Directional characteristics Srel = f ()
Semiconductor Group
257
SFH 309 SFH 309 F
Relative spectral sensitivity, SFH 309 Srel = f () Relative spectral sensitivity, SFH 309 F Srel = f () Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V
Total power dissipation Ptot = f (TA)
Photocurrent IPCE = f (VCE), Ee = Parameter
Dark curent ICEO = f (VCE), E = 0
Dark curent ICEO = f (TA), VCE = 25 V, E = 0
Capacitance CCE= f (VCE), f = 1 MHz, E = 0
Photocurrent IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V
Semiconductor Group
258

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