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| Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS35R12KE3 G Hochstzulassige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral It value Isolations Prufspannung insulation test voltage tp= 1ms Tvj= 25C Tc= 80C Tc= 25C tp= 1ms, Tc= 80C VCES IC, nom IC ICRM 1200 35 55 70 V A A A Tc= 25C Ptot 200 W VGES +20 V IF 35 A IFRM 70 A VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125C It 300 As RMS, f= 50Hz, t= 1min VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sattigungsspannung collector emitter saturation voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazitat input capacitance Ruckwirkungskapazitat reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current VGE= 15V, Tvj= 25C, IC= IC,nom VGE= 15V, Tvj= 125C, IC= IC,nom VCE= VGE, Tvj= 25C, IC= 1,5mA VCEsat min. 5,0 typ. 1,7 2,0 5,8 max. 2,15 6,5 V V V VGE(th) VGE= -15V...+15V QG - 0,33 - C f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies 2,5 nF f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres 0,09 nF VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25C ICES - - 5 mA VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25C IGES - - 400 nA prepared by: M. Munzer approved: M. Hierholzer date of publication: 2002-03-04 revision: 3 1 (8) Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls 2002-03-04 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS35R12KE3 G Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter IC= IC, nom, VCC= 600V Einschaltverzogerungszeit (induktive Last) turn on delay time (inductive load) VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V Abschaltverzogerungszeit (induktive Last) turn off delay time (inductive load) VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse Ausschaltverlustenergie pro Puls turn off energy loss per pulse Kurzschlussverhalten SC data Modulindiktivitat stray inductance module Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip Tc= 25C VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V, L= 70nH VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V, L= 70nH VGE= 15V, RG= 27, Tvj= 125C tP 10sec, VGE 15V, TVj 125C VCC= 900V, VCEmax= VCES - LCE *di/dt Eon tf 65 90 3,5 ns ns mJ td,off 420 520 ns ns tr 30 45 ns ns td,on 85 90 ns ns min. typ. max. Eoff - 4,8 - mJ ISC - 140 - A LCE - 19 - nH RCC/EE - 2,5 - m Charakteristische Werte / characteristic values Diode Wechselrichter / diode inverter Durchlassspannung forward voltage Ruckstromspitze peak reverse recovery current IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 25C IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 125C IF=IC,nom, -diF/dt= 1500A/s VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125C Sperrverzogerungsladung recoverred charge IF=IC,nom, -diF/dt= 1500A/s VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125C Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF=IC,nom, -diF/dt= 1500A/s VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125C Erec 1,4 2,7 mJ mJ Qr 3,7 6,8 C C IRM 49 51 A A VF 1,65 1,65 2,15 V V 2 (8) Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls 2002-03-04 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS35R12KE3 G Charakteristische Werte / characteristic values NTC-Widerstand / NTC-thermistor Nennwiderstand rated resistance Abweichung von R100 deviation of R100 Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value Tc= 25C R25 R/R min. typ. 5 max. k Tc= 100C, R100= 493 -5 - 5 % Tc= 25C P25 - - 20 mW R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] B25/50 - 3375 - K Thermische Eigenschaften / thermal properties Ubergangs Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Hochstzulassige Sperrschichttemp. maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature pro Modul / per module Paste= 1W/m*K / grease= 1W/m*K RthCK 0,02 0,60 0,95 K/W K/W K/W Tvjmax - - 150 C -40 - Gehause, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearence CTI comperative tracking index Schraube M 5 screw M 5 Gewicht weight M 3 Al2O3 10 mm 7,5 mm 225 - 6 G 180 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. 3 (8) Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls 2002-03-04 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS35R12KE3 G IC= f(VCE) VGE= 15V Ausgangskennlinie (typisch) output characteristic (typical) 70 65 60 55 50 45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 0,0 0,5 Tvj = 25C Tvj = 125C IC [A] 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 4,0 Ausgangskennlinienfeld (typisch) output characteristic (typical) 70 65 60 55 50 45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 0,0 0,5 IC= f(VCE) Tvj= 125C VGE=19V VGE=17V VGE=15V VGE=13V VGE=11V VGE=9V IC [A] 1,0 1,5 2,0 2,5 VCE [V] 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 4 (8) Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls 2002-03-04 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS35R12KE3 G IC= f(VGE) VCE= 20V Ubertragungscharakteristik (typisch) transfer characteristic (typical) 70 65 60 55 50 45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 4 5 Tvj=25C Tvj=125C IC [A] 6 7 8 VGE [V] 9 10 11 12 Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) forward caracteristic of inverse diode (typical) 70 65 60 55 50 45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 0,0 0,2 0,4 IF= f(VF) Tvj = 25C Tvj = 125C IF [A] 0,6 0,8 1,0 1,2 VF [V] 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 5 (8) Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls 2002-03-04 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS35R12KE3 G Eon = f(IC), Eoff = f(IC), Erec = f(IC) VGE= 15V, RGon=RGoff= 27, VCE= 600V, Tvj= 125C Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 10 8 Eon Eoff Erec E [mJ] 6 4 2 0 0 10 20 30 IC [A] 40 50 60 70 Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 10 Eon Eoff Erec Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) VGE= 15V, IC= 35A, VCE= 600V, Tvj= 125C 8 E [mJ] 6 4 2 0 0 20 40 RG [] 60 80 100 6 (8) Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls 2002-03-04 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS35R12KE3 G ZthJC = f (t) Transienter Warmewiderstand Transient thermal impedance 1 ZthJC [K/W] 0,1 Zth : IGBT Zth : Diode 0,01 0,001 0,01 t [s] 0,1 1 i ri [K/W] : IGBT i [s] : IGBT ri [K/W] : Diode i [s] : Diode 1 6,769E-02 2,345E-03 9,674E-02 3,333E-03 2 1,052E-01 2,820E-01 6,249E-01 3,429E-02 3 2,709E-01 2,820E-02 1,800E-01 1,294E-01 4 1,523E-01 1,128E-01 5,701E-02 7,662E-01 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) 80 70 60 50 IC [A] 40 30 20 10 0 0 200 400 600 VCE [V] 800 IC,Chip IC,Modul VGE=15V, RG=27, Tj=125C 1000 1200 1400 7 (8) Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls 2002-03-04 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS35R12KE3 G Gehausemae / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 8 (8) Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls 2002-03-04 |
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