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| BPX 65 BPX 66 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 BPX 66 Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm q BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit q BPX 66: Sperrstromarm (typ. 150 pA) q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18), geeignet bis 125 oC1) Anwendungen q schneller optischer Empfanger mit groer Modulationsbandbreite Typ Type BPX 65 BPX 66 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P27 Q62702-P80 Features q Especially suitable for applications from 350 nm to 1100 nm q BPX 65: high photosensitivity q BPX 66: low reverse current (typ. 150 pA) q Hermetically sealed metal package (TO-18), suitable up to 125 oC1) Applications q Fast optical sensor of high modulation bandwidth Gehause Package 18 A3 DIN 41870, planes Glasfenster, hermetisch dichtes Gehause, Lotspiee im 2.54-mm-Raster (2/10"), Anodenkennzeichnung: Nase am Gehauseboden 18 A3 DIN 41870, flat glass lens, hermetically sealed package, solder tabs 2.54 mm (2/10") lead spacing, anode marking: projection at package bottom 1) 1) Eine Abstimmung der Einsatzbedingungen mit dem Hersteller wird empfohlen bei TA > 85 oC For operating conditions of TA > 85 oC please contact us. Semiconductor Group 342 10.95 BPX 65 BPX 66 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Lottemperatur (Lotstelle 2 mm vom Gehause entfernt bei Lotzeit t 3s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 oC Total power dissipation Symbol Symbol Top; Tstg TS Wert Value -40 ... +80 230 Einheit Unit oC oC VR Ptot 50 250 V mW Kennwerte (TA = 25 oC, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 oC, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flache Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Symbol Symbol S S max Wert Value 10 ( 5.5) 850 350 ... 1100 Einheit Unit nA/Ix nm nm A LxB LxW H 1.00 1x1 mm2 mm 2.25 ... 2.55 mm 40 Grad deg. Semiconductor Group 343 BPX 65 BPX 66 Kennwerte (TA = 25 oC, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 oC, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Dunkelstrom Dark current BPX 65: VR = 20 V BPX 66: VR = 1 V Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 850 nm Spectral sensitivity Quantenausbeute, = 850 nm Quantum yield Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage Kurzschlustrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit current Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL= 50 ; VR = 5 V; = 850 nm; Ip = 800 A Durchlaspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage Kapazitat, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Temperaturkoeffizient von VL Temperature coefficient of VL Temperaturkoeffizient von IK Temperature coefficient of IK Rauschaquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 20 V, = 850 nm Nachweisgrenze, VR = 20 V, = 850 nm Detection limit Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit IR S VL IK tr, tf 1 ( 5) 0.15 ( 0.3) 0.55 0.80 320 ( 270) 10 12 nA A/W Electrons Photon mV A ns VF C0 TCV TCI NEP 1.3 11 -2.6 0.2 3.3 x 10-14 V pF mV/K %/K W Hz cm * Hz W D* 3.1 x 1012 Semiconductor Group 344 BPX 65 BPX 66 Relative spectral sensitivity Srel = f () Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit-voltage VL= f (Ev) Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E = 0 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 Dark current IR = f (TA), VR = 20 V, E = 0 Directional characteristics Srel = f () Semiconductor Group 345 |
Price & Availability of BPX65
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