| PART |
Description |
Maker |
| TD25F12KSB-A DT25F12KSB-A DT18F11KFB-K DT18F11KFC- |
Transient Voltage Suppressor Diodes
THYRISTOR MODULE|DOUBLER|CC|1.1KV V(RRM)|18A I(T)
THYRISTOR MODULE|DOUBLER|CC|1KV V(RRM)|18A I(T)
THYRISTOR MODULE|DOUBLER|CC|800V V(RRM)|18A I(T)
THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CC|800V V(RRM)|25A I(T) 晶闸管模块|可控硅|双|消委会| 800V的五（无线资源管理）|5A我（翻译
THYRISTOR MODULE|DOUBLER|CC|1.2KV V(RRM)|18A I(T) 晶闸管模块|倍增|消委会| 1.2KV五（无线资源管理）| 18A条疙（T
THYRISTOR MODULE|DOUBLER|CC|1.1KV V(RRM)|25A I(T) 晶闸管模块|倍增|消委会| 1.1KV五（无线资源管理）|5A我（翻译
THYRISTOR MODULE|DOUBLER|CA|1.1KV V(RRM)|18A I(T) 晶闸管模块|倍增|加利福尼亚州| 1.1KV五（无线资源管理）| 18A条疙（T
THYRISTOR MODULE|DOUBLER|CA|800V V(RRM)|18A I(T) 晶闸管模块|倍增|加利福尼亚州| 800V的五（无线资源管理）| 18A条疙（T
THYRISTOR MODULE|DOUBLER|CA|1.1KV V(RRM)|25A I(T) 晶闸管模块|倍增|加利福尼亚州| 1.1KV五（无线资源管理）|5A我（翻译
THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|1.1KV V(RRM)|25A I(T) 晶闸管模块|倍增|半CNTLD |负| 1.1KV五（无线资源管理）|5A我（翻译
THYRISTOR MODULE|DOUBLER|CA|1.2KV V(RRM)|25A I(T) 晶闸管模块|倍增|加利福尼亚州| 1.2KV五（无线资源管理）|5A我（翻译
THYRISTOR MODULE|DOUBLER|CC|1KV V(RRM)|25A I(T) 晶闸管模块|倍增|消委会| 1KV交五（无线资源管理）|5A我（翻译
THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CA|1.2KV V(RRM)|18A I(T) 晶闸管模块|可控硅|双|加利福尼亚州| 1.2KV五（无线资源管理）| 18A条疙（T
THYRISTOR MODULE|SCR|DUAL|CC|1.1KV V(RRM)|25A I(T) 晶闸管模块|可控硅|双|消委会| 1.1KV五（无线资源管理）|5A我（翻译
THYRISTOR MODULE|SCR DOUBLER|1.1KV V(RRM)|25A I(T) 晶闸管模块|可控硅倍增| 1.1KV五（无线资源管理）|5A我（翻译
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HIROSE ELECTRIC Co., Ltd.
STMicroelectronics N.V.
L-com, Inc.
NXP Semiconductors N.V.
ITT, Corp.
IDEC, Corp.
Electronic Theatre Controls, Inc.
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| IRF5Y3710CM |
POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.035ohm, Id=18A*) 功率MOSFET N沟道（减振钢板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.035ohm，身份证\u003d 18A
POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V Rds(on)=0.035ohm Id=18A*)
THRU-HOLE (TO-257AA) 100V, N-CHANNEL
100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-257AA package
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International Rectifier, Corp.
IRF[International Rectifier]
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| FDP18N20F FDPF18N20FT |
N-Channel UniFETTM FRFETMOSFET 200V, 18A, 140m
N-Channel MOSFET 200V, 18A, 0.14楼?
N-Channel MOSFET 200V, 18A, 0.14Ω
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Fairchild Semiconductor
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| UG18CCT UGF18DCT UGB18ACT UGB18CCT UGB18DCT UG18DC |
Dual Ultrafast Plastic Rectifiers, Forward Current 18A, Reverse Recovery Time 20ns
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Vishay
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| SML9030-T254 SML9030T254 |
P-Channel MOS Transistor(Vdss:-50V,Id(cont):-18A,Rds(on):0.14Ω)(P沟道MOS晶体Vdss:-50V,Id(cont):-18A,Rds(on):0.14Ω))
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Semelab(Magnatec)
TT electronics Semelab Limited
Seme LAB
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| FDMC4435BZ |
P-Channel Power Trench? MOSFET -30V, -18A, 20.0mΩ
P-Channel Power Trench㈢ MOSFET -30V, -18A, 20.0mヘ
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Fairchild Semiconductor
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| ISL8240M |
Dual 20A/Single 40A Step-Down Power Module
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Intersil
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| CN6116B CC6116B CD6116B CS6116B |
160 Amperes / Up to 2200 Volts Dual & Single Diode Isolated Module
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Powerex Power Semiconductors
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| LTM4676A-15 |
Dual 13A or Single 26A Module Regulator with Digital Power System Management
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Linear Technology
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| IRC640 |
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 5-Pin (HEXSense) package
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)
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IRF[International Rectifier]
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